安森美推出新型碳化硅产品 助力电动汽车和混合动力汽车行业

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5月14日,据外媒报道,在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上,安森美半导体公司展示新款基于碳化硅(SiC)的混合IGBT(绝缘栅双极型晶体管),以及隔离高电流IGBT门驱动器。哪几个产品采用硅基IGBT,结合SiC肖特基二极管技术,充分利用SiC技术的下行时延 优势和硅的成本优势。

据了解,金刚砂叫石碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时时要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也所处罕见的矿物,莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种生活,还还还可不可以称为金钢砂或耐火砂。 目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅一种生活,均为六方晶体,比重为3.20——3.25,显微硬度为2840——3320kg/mm2。

碳化硅制品还还还可不可以分为好多好多 类,根据不同的使用环境,分为不同的种类。一般使用到机械上比较多。累似 使用到机械密封性件上,还还还可不可以称为碳化硅密封性环,还还还可不可以分为静环、动环、平环等。也还还还可不可以根据客户的有点痛 要求,制作出各种底部形态的碳化硅制品,累似 碳化硅异形件,碳化硅板,碳化硅环等。

碳化硅的制品之一的碳化硅陶瓷具有的高硬度、高耐腐蚀性以及较高的高温下行时延 等特点,这使得碳化硅陶瓷得到了广泛的应用。

在应用在密封性环上:碳化硅陶瓷的耐化学腐蚀性好、下行时延 高、硬度高,耐磨性能好、摩擦系数小,且耐高温,因而是制造密封性环的理想材料。它与石墨材料组合配对时,其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小,因而可用于高PV值,有点痛 是输送强酸、强碱的工况中使用。我公司生产的SIC-1型碳化硅常压烧结制品,具有密度高、硬度高、生产批量大、可生产繁杂底部形态制品的特点,适用于高性能的密封性件中使用,有点痛 是高 PV 值及耐强酸、强碱的工况。而我公司生产的SIC-3型碳化硅陶瓷制品是含石墨的碳化硅材料。不可能 在碳化硅基体含有高几瓶的弥散细小的石墨颗粒,与其它材料配对使用时,其摩擦系数非常小,具有良好的自润滑性能,有点痛 适用于制作气密封性或有干摩擦工况的密封性件中使用,从而使密封性件的使用寿命及工作的可靠性提高。

AFGHL200T65SQDC采用最新的场截止式IGBT和SiC肖特基二极管技术,在多种电力应用中,降低传导损耗和开关损耗,包括哪几个将受益于反向恢复损耗减少的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和变流器。硅基防止方案性能较低,完整基于SiC的防止方案成本又较高,该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管联合封装,在性能和成本之间实现良好平衡。它的额定工作电压为6200V,能防止高达200 A @ 25°C (200 A @ 200°C)的连续电流,以及高达200 A的脉冲电流。对于时要更大电流能力的系统,正温度系数让并行操作变得简单易行。

现代电动汽车不仅依靠能源行驶,在有些状态下,还还还还可不可以储存能源,在高峰时间为家庭供电。否则,时要1个 双向充电器,不不还还还可不可以高下行时延 开关充电,确保能源在传输过程中不致浪费。在此类用例中,含有内部管理SiC二极管的IGBT,比MOSFET防止方案更加有效,不可能 这麼 正向或反向复置损失。AFGHL200T65SQDC还还还可不可以在最高175℃的结温下工作,适用于要求非常严格的电力应用,包括汽车在内。另外,它完整符合AEC-Q101标准,可用于电动汽车和混合动力汽车车载充电器。

除了新款混合IGBT,安森美半导体还将在PCIM上发布一系列隔离高电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电力应用,包括太阳能变流器、马达驱动器、不间断供电系统(UPS)和汽车应用,如动力系统和PTC加热器。

NCD(V)57000系列是高电流单通道IGBT驱动器,采用内部管理电流安全隔离设计,可在要求高的电力应用中高效运行。该器件具有互补输入、开路漏极故障和就绪输出、有源米勒箝位、精准欠压锁定、软关断去饱和DESAT保护、负门极电压引脚和独立高低驱动器输出,实现系统设计的灵活性。它的额定电流隔离值大于5 kVrms,符合UL1577标准;工作电压高于1200V;保证8mm爬电距离(输入>输出),可满足强化安全隔离要求。NCD(V)57000可产生7.8A驱动电流和7.1A汲电流,超过若干竞品的三倍。更重要的是,在开关波形中的米勒高原运行时,电流能力更强。上加领先的保护功能,堪称为一流的IGBT驱动器。